聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）系統融合了聚焦離子束（FIB）的微區加工能力和掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像技術，以下是該系統的操作要點及常見問題：
操作要點
以FEIHelios600雙束系統為例，聚焦離子束掃描電鏡系統的操作要點主要包括以下步驟：
裝樣：
準備好樣品后，按照實驗記錄表上的要求，認真檢查實驗前和打開腔門前的檢查項目。
待真空腔圖標變為灰色時，緩緩拉開腔門放置樣品，并檢查記錄表上放置樣品的檢查項目。
等待樣品腔真空度達到要求后方可開始實驗。
SEM成像：
激活電子束窗口，點擊“beamon”按鈕，待按鈕變成黃色后，根據材料選擇合適的加速電壓和束流值，點擊暫停按鈕，即可得到SEM圖像。
在低倍鏡下，通過鼠標中鍵拖動改變X、Y坐標來找到樣品。
調整焦距、明暗度、對比度等，以獲得較好的圖像。
在較高倍數下，在樣品不同位置調整焦距，確定樣品最高點，并在該點調焦清晰后執行相關操作。
調整EucentricHight位置：
電子束“beamshift”清零，電子束圖像打開狀態，在2~3K放大倍數下，在樣品上找到一個特征點將其移至屏幕中央。
設置樣品臺高度，并升高樣品臺。在樣品臺上升的過程中，如果系統提醒重新鏈接，則需要重新調整焦距后再點擊重新鏈接，繼續升高樣品臺至指定高度。
傾轉樣品臺，并通過鼠標中鍵拖動使特征點回到屏幕中央。
樣品臺回到0°，檢查特征點是否回到屏幕中央，如有偏離則進行調整。
傾轉樣品臺至52°，確認特征點在屏幕中間。
FIB加工：
激活離子束窗口，將離子束“beamshift”清零，點擊“beamon”按鈕，根據需要選擇合適的加速電壓和束流后點擊暫停按鈕，得到離子束圖像。
在離子束窗口，將特征點拖動至屏幕中央。
選擇合適加工的樣品位置，打開“pattern”欄，根據加工需要選擇合適的“pattern”類型，編輯“pattern”尺寸等參數。
根據加工尺寸和精度要求選擇束流，在加工位置附近調焦、調象散；快掃一幀圖像，確認“pattern”的位置后開始加工。
氣體注入系統（GIS）操作：
調整好EucentricHight位置后，在“Gasinjection”欄，加熱相應的氣體。
在需要沉積的樣品部分畫上“pattern”，并在“application-value”中選擇沉積材料。
根據沉積尺寸選擇束流，在沉積位置附近調焦、調象散；快掃一幀圖像，確認“pattern”的位置。
鎖定樣品臺，進針，點擊開始沉積。沉積結束后，在電子束窗口快掃一幀，如果滿足要求則退針，關閉氣體加熱，解鎖樣品臺。
取樣：
樣品臺傾轉角度回到0°，雙束“beamshift”歸零，關閉離子束、電子束，將樣品臺高度降至0。
按照實驗記錄表檢查實驗完成欄的檢查項目，確認后執行相關操作以取出樣品。
常見問題
在FIB-SEM系統的操作過程中，可能會遇到以下常見問題：
透射薄片的孔洞或脫落：在減薄過程中，部分材料可能會出現脫落或穿孔。但通常這不會對透射電鏡的拍攝造成影響。
樣品導電性：樣品在SEM下操作需要良好的導電性以清晰觀察形貌。如果導電性比較差，需要進行噴金或噴碳處理。
FIB制樣注意事項：需考慮樣品的導電性、制樣目的、切割或取樣位置、材料的耐高壓性以及樣品表面的拋光情況等。
綜上所述，聚焦離子束掃描電鏡系統的操作需要嚴格遵循一定的步驟和注意事項，以確保實驗的準確性和安全性。同時，針對可能出現的常見問題，需要采取相應的解決方案以確保實驗的順利進行。
