Name: 電漿原子層沉積設備
Brand: 其他品牌
Availability: InStock

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沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設備

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沉積系統(tǒng)：精準構筑薄膜“微結構”，賦能半導體與新材料創(chuàng)新? 沉積系統(tǒng)：薄膜材料制備的“精密生長工廠”? 探秘化學氣相沉積系統(tǒng)：如何“沉淀”高科技新材料？原子層沉積和磁控濺射的區(qū)別看完本篇你就會對化學氣相沉積系統(tǒng)有更多了解光學顯微鏡工作環(huán)境的選擇

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環(huán)保,化工,電子/電池

電漿原子層沉積設備（PEALD）是一種基於常規(guī)ALD的先進方法，其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。製程中只需靠電漿來進行裂化前驅物材料，無需高溫來傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制電漿與ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1％。

電漿原子層沉積設備參數(shù)：

應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統(tǒng)。納米電子學。納米孔結構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。遠程等離子體電漿源。前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統(tǒng)。納米電子學。納米孔結構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。遠程等離子體電漿源。前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

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